陈治明碳化硅

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陈治明碳化硅引言作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中实现硅器件难以达到的效果。使用碳化硅制造的电力电子器件，其工作温度有可能超过，可在硅器件难以承受的高温下长时间稳定工作。不仅如此，在额定阻断电压相同的前提下，碳化硅功率开关器件不但通态比电阻很低，其工作频率一般也要比硅器件高倍以上。因此，包含微波电源在内的电力电子技术有可能从碳化硅材料的实用化得到的好处，这不仅是整机性能的改善，也有整机体积的大幅度缩小，更有其对工作环境的广泛适应性。随着直径左右的碳化硅片在年前后上市，以及高品质一和一外延层生长技术紧随其后的成功应用，各种碳化硅功率器件的研究和开发即蓬勃开展起来。目前，各种功率器件都已证实可用碳化硅来制造。尽管器件面积因受材料晶格缺陷的限制而远不能与硅功率。

陈治明碳化硅陈治明，男，四川涪陵现属重庆直辖市汉族，中共党员，生教授，博士生导师学历：北京机械学院工程经济系大学本科中国科学院研究生院半导体材料物理专业理学硕士任职经历：陕西机械学院半导体器件教研室主任；陕西机械学院自动控制系副主任，年月起任副教授；陕西机械学院自动控制系主任；西安理工大学副校长，年月起任教授，年起任博士生导师西安理工大学校长社会兼职：中国电工技术学会电力电子学会副理事长中国电子学会半导体与集成技术分会委员，荣誉委员陕西电机工程学会副理事长陕西省高层次人才开发促进会常务理事《电力电子技术》编委会主任《半导体学报》编委会委员、新型电力电子器件、碳化硅材料制备及其在电力电子器件中的应用、非晶半导体材料及器件教学和科研获奖成果：“碳化硅晶体生长工艺技术与设备”,西安市科技进步一等奖，陕西省科技进步二等奖，第完成人。“线性开关电容-变换器理论及其单片集成的可行性”于年获陕西省科技进步二等奖。第完成人。“。

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